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簡介：摻鈮鈦酸鍶（Nb:SiTiO3）單晶不僅與鈦酸(suan)鍶(si)有相(xiang)似的結構，還有電導(dao)性。它的電阻率隨著摻鈮濃度(du)（0.1～0.001wt%）在0.1～0.001W-cm之間變化，傳導(dao)的單晶基片為(wei)薄膜和器件(jian)提供了電極。
性能及(ji)參數(shu) | ||||
生長方法 | 熔焰法 | |||
晶體結(jie)構 | 立方 | |||
晶格常數(shu) | a =3.905 Å | |||
級別(bie) | A | B | C | D |
摻鈮濃度（wt%） | 1.0 | 0.7 | 0.5 | 0.1 |
電阻率ohm-cm | 0.0035 | 0.0070 | 0.05 | 0.08 |
遷移率cm2/vs | 9.0 | 8.5 | 8.5 | 6.5 |
顏色及外觀 | 黑色 | |||
化學穩定(ding)性 | 穩(wen)定性好不(bu)溶于水 | |||
莫氏硬(ying)度 | 6mohs | |||
正切(qie)損耗(hao) | ～5×10-4 @300k）， ～3×10-4 @77k） | |||
晶(jing)向 | <100>、<110>、<111> | |||
晶面定向精度 | ±0.5° | |||
邊緣定(ding)向精度(du) | ±1° | |||
斜切(qie)晶片(pian) | 可按(an)照客戶需求，定(ding)制特殊(shu)方(fang)向 | |||
尺寸(cun)（可按照客戶需求(qiu)，定制特殊尺寸） | 10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×;0.5mm等 | |||
/ | ||||
拋(pao)光 | 單面拋光(guang)、雙面拋光(guang) | |||
表(biao)面粗糙(cao)度 | ＜5 Å | |||
包裝 | 1000級(ji)超(chao)(chao)級(ji)凈室(shi)100級(ji)超(chao)(chao)凈袋或單片晶盒封裝 | |||
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